In-situ reflectance anisotropy spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures grown by MOVPE

0099109 - FZÚ 2008 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Mates, Tomáš - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard
In-situ reflectance anisotropy spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures grown by MOVPE.
[In- situ reflektanční anisotropická spektroskopie struktur s InAs/GaAs kvantovými tečkami připravených pomocí MOVPE.]
EW-MOVPE XII. Bratislava: Institut of Electrical Engineering, 2007, s. 275-278. ISBN N.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /12./. Bratislava (SK), 03.06.2007-06.06.2007]
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: quantum dot * RAS * InAs/GaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) measurement was done during the growth of quantum dot (QD) structures. RAS time resolved signal at 4.2 eV was found to be reliable indication of the quality of QDs and was also used to set an accurate growth time for QD formation.

Reflektanční anisotropická spektroskopie (RAS) byla použita při růstu struktur s kvantovými tečkami (QD). Zjistili jsme, že spolehlivý ukazatel kvality QD je časově rozlišený RAS signál na 4.2 eV, který jsme také použili k přesnému nastavení doby růstu QD.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0157841