Properties of single and double InAs quantum dot structures with strain reducing In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As matrix and covering layers

0099074 - FZÚ 2008 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Properties of single and double InAs quantum dot structures with strain reducing In_xGa_1-xAs matrix and covering layers.
[Vlastnosti struktur s jednoduchými a dvojitými InAs kvantovými tečkami a InGaAs zárodečnými a krycími vrstvami redukujícími pnutí.]
EW-MOVPE XII. Bratislava: Institut of Electrical Engineering, 2007, s. 343-346. ISBN N.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /12./. Bratislava (SK), 03.06.2007-06.06.2007]
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: quantum dot * InAs * InGaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

We studied the photoluminescence properties of structures with InGaAs strain reducing layers (SRLs) in combination with either single or double QD layer. According to our results, single QD structures are more appropriate for application in long wavelength lasers.

Studovali jsme fotoluminiscenci struktur obsahujících InGaAs vrstvy redukující pnutí v kombinaci s jednou nebo dvěma vrstvami kvantových teček. Podle našich výsledků jsou pro použití v dlouhovlnných laserech vhodnější struktury obsahující jednu vrstvu kvantových teček.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0157817