Elektronová struktura slitin india a cínu

0098970 - ÚFM 2008 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Všianská, Monika - Legut, Dominik - Šob, Mojmír
Elektronová struktura slitin india a cínu.
[Electronic structure In-Sn alloys.]
Víceúrovňový design pokrokových materiálů: sborník doktorské konference 2007. Brno: Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i, 2007 - (Dlouhý, I.; Švejcar, J.; Šob, M.; Strnadel, B.), s. 7-14. ISBN 978-80-254-0793-6.
[Víceúrovňový design pokrokových materiálů 2007. Ostrava (CZ), 29.11.2007-30.11.2007]
Grant CEP: GA ČR GD106/05/H008; GA AV ČR IAA1041302
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20410507
Klíčová slova: electronic structure * ab initio calculations * In-Sn system
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Systém InSn je zajímavý tím, že v koncentrační oblasti od 72 do 87 at% Sn při 25 °C and od 73 do 85 at% Sn při -150 °C vykazuje prostou hexagonální strukturu. Tyto slitiny se obvykle nazývají gama-cín. Slitiny InSn jsou neuspořádané v celém koncentračním intervalu. V tomto příspěvku studujeme chování totální energie a elektronovou strukturu systému InSn z prvních principů. K popisu neuspořádanosti používáme zjednodušenou verzi aproximace virtuálního krystalu. Ukazuje se, že tento přístup postihuje některé aspekty fázového složení systému InSn, zejména předpovídá existenci prosté hexagonální struktury v oblasti kolem 80 at% Sn.

The InSn system is interesting by the existence of a simple hexagonal phase for compositions from 72 to 87 at% Sn at 25 °C and from 73 to 85 at% Sn at -150 °C. These alloys are usually referred to as gamma–Sn. The InSn alloys are disordered in the whole concentration interval. In this contribution, energetics and electronic structure of InSn system is studied from first principles. A simplified version of virtual crystal approximation is employed to describe disorder. It turns out that the present approach is capable of describing phase composition of InSn system in the whole concentration interval. In particular, we are able to reproduce the existence of simple hexagonal phase around 80 at% Sn.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0157753