Počet záznamů: 1
Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance and voltage controlled magnetic switching in a ferromagnetic GaMnAs single electron transistor
- 1.0097612 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš - Irvine, A.C. - Kaestner, B. - Shick, Alexander - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance and voltage controlled magnetic switching in a ferromagnetic GaMnAs single electron transistor.
[Anisotropní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády a napětím řízená změna nagnetizace v GaMnAs jednoelektronovém transistoru.]
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 310, - (2007), s. 1883-1888. ISSN 0304-8853. E-ISSN 1873-4766
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA MŠMT LC510; GA ČR GEFON/06/E002
GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magnetoresistance * single-electron transistor
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.704, rok: 2007
We observe low-field hysteretic magnetoresistance (MR) in (Ga,Mn)As single electron transistor which can exceed three orders of magnitude.
Pozorování silného napětí řízeného magnetorezistenčního jevu v GaMnAs jednoelektronovém transistoru.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156715
Počet záznamů: 1