Local control of magnetocrystalline anisotropy in (Ga,Mn)As microdevices: demonstration in current-induced switching

0097606 - FZÚ 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Wunderlich, J. - Irvine, A.C. - Zemen, Jan - Holý, V. - Rushforth, A.W. - De Ranieri, E. - Rana, U. - Výborný, Karel - Sinova, J. - Foxon, C. T. - Campion, R. P. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L. - Jungwirth, Tomáš
Local control of magnetocrystalline anisotropy in (Ga,Mn)As microdevices: demonstration in current-induced switching.
[Lokální kontrola magnetokrystalické anisotropie v GaMnAs mikrosoučástkách: ukázka na proudem indukovaném přepínání magnetizace.]
Physical Review. B. Roč. 76, č. 5 (2007), 054424/1-054424/8. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/06/0025; GA ČR GA202/04/1519; GA ČR GEFON/06/E002; GA MŠMT LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * magnetocrystalline anisotropy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.172, rok: 2007

Experiments and theoretical modeling are presented for lithographically patterned microchannels in GaMnAs.

Experimentální a teoretické modelování efektů mřížkové relaxace v GaMnAs mikrokanálech.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0156710