Mechanism of poly[methyl(phenyl)silylene] e-beam degradation

0095350 - ÚPT 2008 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Horák, Petr - Kuřitka, I. - Schauer, Petr - Schauer, F. - Saha, P.
Mechanism of poly[methyl(phenyl)silylene] e-beam degradation.
[Mechanismus degradace poly[methyl(phenyl)silylene] elektronovým svazkem.]
3rd European Weathering Symposium (XXVth Colloquium of Danubian Countries on Natural and Artificial Ageing of Polymers). Pfinztal: GUS, 2007 - (Reichert, T.), s. 97-107. ISBN 978-3-9810472-3-3.
[European Weathering Symposium /3./, Colloquium of Danubian Countries on Natural and Artificial Ageing of Polymers /25./. Krakow (PL), 12.09.2007-14.09.2007]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100622
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: poly[methyl(phenyl)silylene] * PMPSi * e-beam degradation * cathodoluminescence * photoluminescence * infrared absorption spectroscopy
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) was selected as a typical representative of PSi. The cathodoluminescent (CL) device developed in our laboratory was used for study of PMPSi. CL spectrum of PMPSi corresponds to photoluminescence (PL) emission spectrum of the material used. UV emission decreases rapidly with the degradation, whereas visible one remains nearly stable during electron beam (EB) irradiation. The UV emission is related to the Si backbone. The visible emission is related to the existence of weak bonds and other defects on Si backbone. Infrared (IR) absorption spectroscopy was used to identify material changes caused by the EB degradation. IR spectra of PMPSi support the idea of Si-Si bonds deformation in the main chain of the material during the EB degradation.

Poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) byl zvolen jako typický representant PSi. Pro studium PMPSi bylo použito katodoluminiscenční (CL) zařízení vyvinuté v naší laboratoři. CL spektrum PMPSi odpovídá fotoluminiscenčnímu (PL) emisnímu spektru tohoto materiálu. UV emise se prudce snižuje s degradací, zatímco viditelná emise zůstává během ozařování elektronovým svazkem téměř beze změny. UV emise je vztahována k Si páteři, zatímco viditelná emise k existenci slabých vazeb a dalších defektů na Si páteři. Infračervená (IR) absorpční spektroskopie byla použita k nalezení změn způsobených degradací elektronovým svazkem. IR spektra PMPSi podporují myšlenku Si-Si deformace v průběhu degradace vazeb v hlavním řetězci materiálu.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004408