Počet záznamů: 1
Controlled growth of nanocrystalline silicon on permalloy micro-patterns
- 1.0093040 - FZÚ 2008 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Kočka, Jan - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Stuchlík, Jiří - Fejfar, Antonín - Gunnarsson, K.
Controlled growth of nanocrystalline silicon on permalloy micro-patterns.
[Řízený růst nanokrystalického křemíku na permalloyových mikrostrukturách.]
Applied Physics A - Materials Science & Processing. Roč. 88, - (2007), s. 797-800. ISSN 0947-8396. E-ISSN 1432-0630
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA MŠMT LC510; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAA1010413
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD) * nucleation and growth * microscopic aspects * micro-Raman
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.857, rok: 2007
Lithographically prepared micrometer-sized permalloy ellipses were used to control the growth of nanocrystalline Si in otherwise amorphous Si film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition
Lithograficky připravené mikrometrové elipsy z permalloye byly použity k řízenému růstu nanokrystalického křemíku v jinak amorfní křemíkové vrstvě připravené pomocí plazmatické chemické depozice
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004344
Počet záznamů: 1