Layers of metal nanoparticles on semiconductors deposited by electrophoresis from solutions with reverse micelles

0087823 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Kacerovský, Pavel - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Fojtík, A.
Layers of metal nanoparticles on semiconductors deposited by electrophoresis from solutions with reverse micelles.
[Vrstvy kovových nanočástic na polovodičích deponované elektroforézou z roztoku s reversními mecellemi.]
Nanoscale Research Letters. Roč. 2, č. 9 (2007), s. 450-454. ISSN 1931-7573. E-ISSN 1556-276X.
[Semiconducting & Insulating Materials Conference - SIMC /14./. Fayetteville, 15.05.2007-20.05.2007]
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor junctions * nanostructured materials * semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.158, rok: 2007

Pd nanoparticles were prepared with reverse micelles of water/AOT/isooctane solution and deposited onto silicon or InP substrates by electrophoresis. The deposited Pd nanoparticles were investigated by optical microscopy, SIMS and SEM. Finally, Schottky diodes with barrier height as high as 1.07 eV were prepared by deposition of Pd nanoparticles on n-type InP and by a partial removal of superfluous AOT. These diodes are prospective structures for further testing as hydrogen sensors.

Nanočástice Pd byly připraveny s reversními micellemi v roztoku voda/AOT/isooktan a elektroforeticky deponovány na podložky křemíku nebo InP. Deponované Pd nanočástice byly zkoumány optickou mikroskopií, SIMS a SEM. Konečně deponováním Pd nanočástic na InP typu n a po částečném odstranění nadbytečného AOT byly připraveny Schottkyho diody s výškou bariéry až 1.07 eV. Tyto diody představují perspektivní struktury pro další testování jako vodíkové senzory.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0149565