Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE

0085194 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Křápek, V. - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Melichar, Karel - Humlíček, J. - Šimeček, Tomislav
Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures grown by MOVPE.
[Laterální tvar InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách připravených pomocí MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 570-573. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * MOVPE * arsenides * semiconducting III-V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.950, rok: 2007

We studied shape of quantum dots in vertically correlated quantum dots where several layers of QDs (VCQDs) were grown. We try to expain the mechanism of changing lateral shape of VCQDs

Studovali jsme tvar kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách o několika vrstvách kvantový teček (VCQDs). Snažíme se vysvětlit mechanizmus měnící laterální tvar ve VCQDs
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0147758