Influence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers

0083592 - ÚFE 2008 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Toušková, J. - Toušek, J. - Poruba, A. - Bařinka, R. - Hlídek, P. - Lorinčík, Jan
Influence of silicon nitride layers on the minority carrier diffusion length in silicon wafers.
[Vliv vrstev nitridu křemíku na difuzní délku minoritních nosičů v Si.]
Proceedings of the International Conference Twentyfirst European Photovoltaic Solar Energy. München: WIP-Renewable Energies, 2006 - (Poortmans, J.; Ossenbrink, H.; Dunlop, E.; Helm, P.), s. 960-962. ISBN 3-936338-20-5.
[European Photovoltaic Solar Energy Conference /21./. Dresden (DE), 04.09.2006-08.09.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: solar cells * hydrogen * plasma
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

The main purpose of this work was the comparison of the silicon nitride prepared by the LP CVD and by the MW PE CVD from silane and ammonia gases with respect to the possibility of passivation c-Si surface layer. The properties of the silicon nitride films were studied by the surface photovoltage (SPV), FTIR and SIMS methods. The average value of the diffusion length of minority carriers in the Si samples with the LP CVD nitride was shorter and dependent on the location in the reactor.

Hlavním cílem práce bylo porovnání nitridu křemíku připraveného metodami LP CVD a MW PE CVD ze silanu a čpavku s ohledem na možnost pasivace c-Si povrchových vrstev. Vlastnosti vrstev nitridu křemíku byly studovány metodami SPV, FTIR a SIMS. Průměrná hodnota difuzní délky minoritních nosičů v Si vzorcích s LP CVD nitridem byla kratší a závisela na místě v reaktoru.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0146778