Photoluminescence and manetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures

0081331 - FZÚ 2007 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Křápek, V. - Kuldová, Karla - Humlíček, J. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Zeman, Jan
Photoluminescence and manetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures.
[Fotoluminiscence a magnetoluminiscence vertikálně uspořádaných InAs/GaAs struktur kvantových teček.]
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 36, - (2007), s. 106-113. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
Grant CEP: GA ČR GP202/02/D069; GA ČR GA202/03/0413; GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs/GaAs * magnetoliminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.834, rok: 2007

Photoluminescence of a series of vertically stacked multilayer quantum dot structures taken at different excitation powers and in the magnetic field up to 24 T is reported. The data are compared with results of model electronic-structure calculations for flat dots, including the effects of the strain field. For seven-layer samples, the wavelength of 1.3 μm has been achieved.

V článku je popsána fotoluminiscence sady vertikálně uspořádaných InAs/GaAs struktur kvantových teček v magnetickém poli do 24 T, snímána v závislosti na excitačním výkonu. Experimentální data jsou porovnána s výsledky výpočtů elektronové struktury modelem zahrnujícím vliv napěťového pole. V případě vzorku se sedmi vrstvami byla dosažena vlnová délka emise 1.3 μm.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0145236