Evaluation of semiinsulating annealed InP:Ta for radiation detectors

0076253 - ÚFE 2007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Gorodynskyy, Vladyslav - Pekárek, Ladislav - Kozak, Halina
Evaluation of semiinsulating annealed InP:Ta for radiation detectors.
[Vyhodnocení semiizolačního žíhaného InP:Ta pro radiační detektory.]
IEEE Transactions on Nuclear Science. Roč. 53, 6 Pt. II (2006), s. 3956-3961. ISSN 0018-9499. E-ISSN 1558-1578
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: particle detectors * III-V semiconductors * Hall effect
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.497, rok: 2006

InP crystals were grown by the Czochralski technique with inclusion of Ta into the melt and then converted to the semi-insulating state by annealing. Temperature dependent Hall measurements were carried over the range from 300 K to 430 K and the activation energy of the impurity responsible for the semi-insulating state was determined as 0.75 eV from the conduction band edge. Radiation detectors were characterized by pulse-height spectra of alpha particles yielding an 85 % charge collection efficiency.

Krystaly InP byly připraveny technikou Czochralského s přísadou Ta v tavenině a pak žíháním převedeny do semiizolačního stavu. Byla provedena teplotně závislá Hallova měření v rozsahu od 300 K do 430 K a určena aktivační energie nečistoty zodpovědné za semiizolační stav s hodnotou 0.75 eV od okraje vodivostního pásu. Připravené radiační detektory byly charakterizovány spektry výšky impulzů od alfa částic s výsledkem 85% sběrné účinnosti náboje.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0143404