Photoelectron spectroscopies and fluorescence studies of polysilanes for nanoresists

0054122 - ÚPT 2007 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Schauer, F. - Kuřitka, I. - Zemek, Josef - Horák, Petr - Schauer, Petr - Sáha, P.
Photoelectron spectroscopies and fluorescence studies of polysilanes for nanoresists.
[Fotoelektronové spektroskopie a fluorescenční studie polysilanů pro nanorezisty.]
SSSI 2006 - 5th International Conference of the Solid State Surfaces and Interfaces. Bratislava: Institute of Physics SAS, 2006, s. 83.
[SSSI 2006 - International Conference of the Solid State Surfaces and Interfaces /5./. Smolenice (SK), 19.11.2006-24.11.2006]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100622
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: polysilanes * UV radiation * electron beam * degradation * metastability
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

New types of electron beam resists for nanotechnology, polysilanes, were examined, studying the degradation mechanisms by UV radiation and electron beam. The degradation process is explained by two competing phenomena, i.e. the energy dependent exciton transport by diffusion process and Si-Si bond scission.

Polysilany, nové typy rezistů pro nanotechnologie, byly vyšetřovány pro použití v elektronové litografii. Degradační mechanismus byl studován pomocí UV záření a elektronového svazku. Proces degradace je vysvětlen dvěma protichůdnými jevy, energeticky závislým difusním přenosem excitonu a štěpením Si-Si vazby.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0142265