Thin layers prepared by pulsed laser deposition from Yb.sub.0.19./sub.Co.sub.4./sub.Sb.sub.12./sub. target

0051295 - ÚFE 2007 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zeipl, Radek - Navrátil, Jiří - Beneš, L. - Kocourek, Tomáš - Jelínek, Miroslav - Lorinčík, Jan - Vaniš, Jan - Zelinka, Jiří - Walachová, Jarmila
Thin layers prepared by pulsed laser deposition from Yb_0.19Co₄Sb₁₂ target.
[Tenké vrstvy připravené pulzní laserovou depozicí z Yb_0.19Co₄Sb₁₂ terče.]
Proceedings ICT'06. Piscataway: IEEE, 2006, s. 451-454. ISBN 1-4244-0811-3.
[ICT 2006 - International Conference on Thermoelectrics /25./. Wien (AT), 06.08.2006-10.08.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z40500505; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: thermoelectricity * thin films * pulsed laser deposition * thermoelectric devices
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

The properties of thin layers prepared, with different deposition conditions, by pulsed laser deposition (PLD) from Yb_0.19Co₄Sb₁₂ target are presented. The layers from 150 nm up to 440 nm were examined by XRD method. Depends on the deposition conditions the layers between amorphous and skutterudite structures were obtained. The 60 nm thick layers with skutterudite structure were characterized by Seebeck coefficient and resistivity measurements in the temperature range from 300 K to 600 K.

V článku jsou prezentovány vlastnosti tenkých vrstev připravených při různých depozičních podmínkách metodou pulsní laserové depozice. XRD měření krystalinity, prováděné na vrstvách o tloušťce od 150 nm do 440 nm, prokázala vznik krystalických vrstev se strukturou skutteruditu nebo amorfních v závislosti na depozičních podmínkách. U 60 nm tlustých vrstev s texturou skutteruditu byl měřen Seebeckův koeficient a resistivita v rozsahu teplot od 300 K do 600 K.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0141191