Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru

0050986 - ÚPT 2007 cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Hovorka, Miloš
Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru.
[High-pass Energy filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon.]
PDS 2006 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronová optika. Brno: ÚPT AV ČR, 2006, s. 19-22. ISBN 80-239-7957-4.
[PDS 2006. Brno (CZ), 19.12.2006]
Grant CEP: GA ČR GA202/04/0281
Klíčová slova: silicon * photoemission electron microscopy * contrast
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Projekt se zabývá studiem dopovaných oblastí v křemíku, které mohou vykazovat elektronově optický kontrast v závislosti na koncentraci dopantů a vlastnostech povrchu. Fotoemisní elektronová mikroskopie (PEEM) kombinovaná s energiovým filtrem typu horní propusti je povrchově citlivá metoda umožňující získat spektroskopické a spektro-mikroskopické informace zahrnující kvantifikaci lokálních rozdílů v prahu fotoemise a v detekované intenzitě fotoelektronů v závislosti na koncentraci dopantů.

The study was focused on electron-optical contrast between differently doped areas in silicon dependent on dopant concentration and surface conditions. PEEM equipped with high-pass energy filter is surface sensitive technique which enables one to obtain spectroscopic information about quantified differencies in photothreshold and photoyield influenced by different dopant concentration.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0140988