Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM

0050961 - ÚPT 2007 CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Mika, Filip - Frank, Luděk
Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM.
[Dopant contrast imaged with SE in SEM.]
Mikroskopie 2006. Praha: Československá mikroskopická společnost, 2006, s. 37.
[Mikroskopie 2006. Nové Město na Moravě (CZ), 16.02.2006-17.02.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: dopant contrast * SEM
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí,bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ.

The dopant contrast in SEM has now been studied for more than a decade, a clear explanation of it remains a matter for the future. Generally, p-type silicon appears brighter in the secondary electron (SE) emission than n-type.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0140970