Electronic structure calculations on molecular photo-FET

0050863 - FZÚ 2011 RIV NL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kratochvílová, Irena - Pavelka, Matěj - Nešpůrek, Stanislav - Sworakowski, J. - Záliš, Stanislav
Electronic structure calculations on molecular photo-FET.
[Výpočty elektronové struktury molekulárního foto-FETU.]
Recent Progress in Computational Sciences and Engineering. Leiden: Bell Academic Publishers, 2006 - (Simos, T.; Maroulis, G.), s. 1547-1549. Lecture Ser. Computer and Computational Sci., 7b. ISBN 978-90-04-15542-8. ISSN 1573-4196.
[International Conference on Computational Methods in Science and Engineering. Chania (GR), 27.10.2006-01.11.2006]
Grant CEP: GA MŠMT OC 137; GA AV ČR KAN401770651; GA AV ČR 1ET400400413; GA MŠMT OC 139
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520; CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: molecular electronics * photochromic molecules * electronic structure * DFT calculations
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

A construction of photo-FET device in which source-drain current in a semiconductor film is influenced by photo formed dipolar fields assosiated with charge carrier traps in a photoactive "gate" layer is presented. The DFT calculations on phtalocyanine, is oxidation and reductions produced and dimers under influence of the dipole and electric field were done in order to characterize the possible charge carriers

Byl zkontrolován molekulární foro-FET, ve kterém proud mezi elektrodami byl ovlivněn stavem osvícením generovaných dipólů v gateové elektrodě. Byla použita DFT metoda pro modelování dějů v požitých materiálech (ftalocyanin)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003824