The Dopant Contrast – A Challenge to Electron Microscopy

0049009 - ÚPT 2007 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Frank, Luděk
The Dopant Contrast – A Challenge to Electron Microscopy.
[Kontrast dopantu – otázka pro elektronovou mikroskopii.]
Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. Brno: ISI AS CR, 2006 - (Müllerová, I.), s. 19-22. ISBN 80-239-6285-X.
[Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /10./. Skalský dvůr (CZ), 22.05.2006-26.05.2006]
Grant CEP: GA ČR GA202/04/0281
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: dopant contrast * SEM * PEEM * cathode lens mode
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Results obtained when imaging doped areas in silicon by means of various electron microscopical methods are reviewed. These include secondary electron imaging in the conventional SEM and SEM equipped with the cathode lens, imaging with very slow backscattered electrons by means of the cathode lens, and imaging in a photoelectron emission microscope. It is suggested that important role in the contrast formation plays local differences in the absorption of excited hot electrons on their trajectories toward surface.

Je podán přehled výsledků získaných při zobrazování dopovaných oblastí v křemíku pomocí různých elektronově mikroskopických metod. Pojednáno je o zobrazování sekundárními elektrony v konvenčním rastrovacím elektronovém mikroskopu a v tomtéž mikroskopu vybaveném katodovou čočkou, zobrazování pomocí velmi pomalých zpětně odražených elektronů za pomoci katodové čočky, a zobrazování ve fotoelektronovém emisním mikroskopu. Naznačena je důležitá úloha místních rozdílů v intenzitě absorpce excitovaných horkých elektronů podél jejich trajektorie směrem k povrchu v mechanismu vzniku obrazového kontrastu.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0139506