Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE

0044058 - FZÚ 2007 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE.
[Properties of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures with 2 QD layers grown by MOVPE.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova univerzita, 2006, s. 15-15.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./. Brno (CZ), 23.06.2006-28.06.2006]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA ČR(CZ) GA202/05/0242; GA MŠMT(CZ) LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR(CZ) KJB101630601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * GaAs * InAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence.

We have studied the shape of QDs in structures with vertically correlated QDs where two layers of QDs were grown. We investigated the influence of spacer thickness on lateral shape (elongation) of QDs and photoluminescence intensity.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136927