Počet záznamů: 1
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
- 1.0044056 - FZÚ 2007 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Vyskočil, Jan
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí.
[MOVPE InAs/GaAs quantum dots with long-wavelength emission.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova univerzita, 2006, s. 14-14.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./. Brno (CZ), 23.06.2006-28.06.2006]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KJB101630601; GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA ČR(CZ) GA202/05/0242; GA MŠMT(CZ) LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dot * GaAs * InAs * MOVPE * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou InxGa1-xAs redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.
One method which enables the shift of photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots toward longer wavelengths is the covering of the dots by InxGa1-xAs strain reducing layer. With the increasing x we have observed the shift of PL maxima from 1.28 μm to 1.46 μm.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136926
Počet záznamů: 1