Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt

0040565 - ÚFE 2007 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt.
[Žíhaný semiizolační InP typu p připravený technikou Czochralského s Cu v tavenině.]
Semiconductor Science and Technology. Roč. 21, č. 9 (2006), s. 1256-1260. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: impurity states * Hall effect * spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.586, rok: 2006

InP crystals were grown by Czochralski technique with admixture of Cu in the melt. Samples of as grown crystals were of n-type conductivity, and the estimated concentration of active Cu was smaller than 5x10¹⁵ cm^-3. The samples were converted to p-type semi-insulating state by annealing. The annealed samples were investigated by temperature dependent Hall measurement and low-temperature Fourier transform infrared absorption. New peaks around 2100 cm^-1 were interpreted as due to Cu²⁺ 3d internal transitions.

Krystaly InP byly připraveny technikou Czochralského z taveniny s přísadou Cu. Vzorky připravených krystalů vykazovaly vodivost typu n a odhanutá koncentrace aktivní Cu byla tudíž menší než 5x10¹⁵ cm^-3 Žíháním byly vzorky přeměněny na semiizolační typu p. Žíhané vzorky byly zkoumány teplotně závislým Hallovým měřením a nízkoteplotní infračervenou absorpcí s Fourierovou transformací. Nová spektrální maxima okolo 2100 cm^-1 byla přiřazena vnitřním 3d přechodům Cu²⁺.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0134262