Počet záznamů: 1  

Plasma Polymers and Related Materials

  1. 1.
    0032087 - ÚJF 2006 RIV TR eng M - Část monografie knihy
    Supiot, P. - Macková, Anna - Vivien, C. - Granier, A. - Bousquet, CH. - Boufayed, F. - Escaich, D. - Raynoad, P. - Strýhal, Z. - Pavlík, Josef
    Treatment of Organosilicon Thin Films by Exposure to Different O2 Based Plasma and Afterglow Conditions.
    [Plazmové leptání organokřemíkových tenkých vrstev modifikovaných za různých podmínek aktivního a rozpadajícího se plazmatu.]
    Plasma Polymers and Related Materials. Ankara: Hacettepe University Press, 2005, s. 53-58. ISBN 975-491-194-0
    Grant CEP: GA MŠMT OC 527.100; GA MŠMT 1P05OC014
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505
    Klíčová slova: organosilicon * PACVD * PECVD * RBS analysis
    Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech

    The aim of this study is to investigate the transformation of organosilicon plasma polymer films (500 nm thick) upon exposure to oxygen rich plasmas and after-glow. Different organosilicon films (Si, O, C, H) deposited on silicon in RF inductively coupled, microwave distributed electron cyclotron resonance and microwave induced remote afterglow reactors, are considered. The analysis of the effect of these teratments which are achieved in the same reactors is done through a RBS study. The organic films are partially transformed into a inorganic SiOx – like film, but the effects are shown to be quite different according to both the deposition process and post-treatment conditions.

    Cílem této práce je studovat změny polymerních vrstev (500 nm silných) připravených v organokřemíkovém aktivním a rozpadajícím se plazmatu. Byly studovány různé organokřemíkové vrstvy (Si, O, C, H) deponované na křemík v RF induktivně vázaném plazmatu, v mikrovlnných reaktorech. Analýza vlivu těchto plazmovývh modifikací v různých reaktorech byla prováděna metodou RBS. Organické vrstvy byly částečně přeměněny na anorganické, SiOx podobné vrstvy, bylo však ukázáno, že tyto tyto efekty jsou diametrálně rozdílné vzhledem k podmínkám obou typů depozičních procesů a plazmové modifikace.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0132691

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.