An interconnected 2D-TM EBG structure for millimeter and submilimeter waves

0030442 - FZÚ 2006 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Schuster, M. - Klein, N. - Ruther, P. - Trautmann, A. - Paul, O. - Kužel, Petr - Kadlec, Filip
An interconnected 2D-TM EBG structure for millimeter and submilimeter waves.
[Propojená 2D-TM EGB struktura pro milimetrové a submilimetrové vlny.]
IEEE Journal on Selected Areas in Communications. Roč. 23, č. 7 (2005), s. 1378-1384. ISSN 0733-8716. E-ISSN 1558-0008
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) 1ET300100401
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100522
Klíčová slova: photonic * bandgap * terahertz * microwave
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
Impakt faktor: 2.698, rok: 2005

Due to their unique properties, electromagnetic bandgap (EGB) materials are of high interest for applications in communication technology for many frequency bands from microwave up to optical frequencies. We have investigated in both simulation and experiment a two dimensionally periodic EGB structure made by reactive ion etching of silicon with a bandgap for transverse magnetic waves.

Uměle vyrobené periodické struktury vykazující zakázaný pás pro určitou oblast elektromagnetického záření nacházejí významné aplikace v komuikačních technologiích od mikrovln až o optickou oblast. Experimentálně i teoreticky jsme studovali dvou rozměrnou křemíkovou strukturu připravenou pomocí reaktivního iontového leptání, která vykazuje zakázaný pás pro TM polarizaci poblíž 100 GHz.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120180