Active optical control of the terahertz reflectivity of high-resistivity semiconductors

0029134 - FZÚ 2006 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Fekete, Ladislav - Hlinka, Jaroslav - Kužel, Petr - Kadlec, Filip - Mounaix, P.
Active optical control of the terahertz reflectivity of high-resistivity semiconductors.
[Aktivní optické řízení terahertzové odrazivosti.]
Optics Letters. Roč. 30, č. 15 (2005), s. 1992-1994. ISSN 0146-9592. E-ISSN 1539-4794
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) 1ET300100401; GA AV ČR(CZ) KJB100100512
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: semiconductor * optoterahertz switch * photocarriers * antireflective
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Impakt faktor: 3.599, rok: 2005

We study theoretically and demonstrate experimentally light-controllable terahertz reflectivity of high resistivity semiconductor wafers. Photocarriers created by interband light absorption form a thin conducting layer at the semiconductor surface, which allows the terahertz reflectivity of the element to be tuned between antireflective (R<3%) and highly reflective(R>85%) limits by means of the intensity and wave-length of the optical illumination

Teoreticky a experimentálně ukazujeme možnost optické kontroly odrazivosti polovodičů v terahertové oblasti. Nosiče náboje generované optickým pulsem vtvářejí na povrchu polovodiče tenkou vodivou vrstvu, která mění jeho odrazivost. Změnami intenzity nebo vlnové délky optické excitace je možno spojitě ladit chování vzorku od antireflexního (R<3%) až po vysoce odrazivé (R>85%)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0119010