Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE

0026669 - FZÚ 2006 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Pacherová, Oliva - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Melichar, Karel - Petříček, Otto - Chráska, T. - Holý, V. - Vávra, I. - Ouattara, L.
Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE.
[Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE.]
NANO ´04. Brno: Brno University of Technology, 2004 - (Šandera, P.), s. 278-281. ISBN 80-214-2793-0.
[NANO ´04 International Conference. Brno (CZ), 13.10.2004-15.10.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP202/02/D069; GA ČR(CZ) GA202/03/0413; GA AV ČR(CZ) IAA1010318; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: semiconductor laser * quantum well * GaAs * InAs * XSTM * TEM * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

We have found that the abruptness and symmetry on monoatomic scale is achievable with MOVPE technique as well. We are able to find only the periodicity in these structures while atomic resolution pictures give reliable thickness values.

Zjistili jsme, že strmost a symetrie na atomární úrovni je také dosažitelná s technologií MOVPE. V těchto strukturách jsme schopni nalézt pouze periodicitu, zatímco obrázky s rozlišením na atomární úrovni dávají spolehlivé údaje o tlouštce.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0116879