Periodic oscilations of thin film properties with their thickness for mixed real Bi.sub.2(M+N)./sub.Te.sub.3./sub. phases

0023060 - ÚFE 2006 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Pavelka, Martin - Zeipl, Radek - Jelínek, Miroslav - Walachová, Jarmila - Studnička, Václav - Jurek, Karel
Periodic oscilations of thin film properties with their thickness for mixed real Bi_2(M+N)Te₃ phases.
[Periodické oscilace vlastností tenkých vrstev s jejich tloušťkou pro smíšené fáze Bi_2(M+N)Te₃N.]
Surface and Coatings Technology. Roč. 200, 1/4 (2005), s. 273-275. ISSN 0257-8972.
[Plasma Surface Engineering /9./. Garmisch-Partenkirchen, 13.09.2004-17.09.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/02/0098; GA MŠMT(CZ) LN00A015; GA AV ČR(CZ) IAA1010110
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100522
Klíčová slova: thermoelectricity * thin films * lase ablation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.646, rok: 2005

Thin films were grown by pulsed laser deposition from Bi2Te3 target on fused silica substrates at substrate temperature of 410°C. The films were completely crystalline, textured with BiTe, Bi₂Te₃ and Bi₃Te₄ phases present. Bi/Te ratio in the films varied from 1,15 to 1,23. Films with various thicknesses were grown at the same deposition conditions in the second experiment. Films thickness varied from 20 nm to 350 nm. Oscillations of transport properties were observed.

Pomocí pulsní laserové depozice z Bi2Te3 terče byly na křemenné substráty připraveny tenké vrstvy při teplotě substrátu 410°C. Filmy byly shledány krystalické s přítomností BiTe, Bi₂Te₃ and Bi₃Te₄ fází. Poměr Bi/Te v rozmezí od 1,15 do 1,23. Pro druhý experiment byly při stejných depozičních podmínkách připraveny filmy o různé tloušťce od 20nm do 350nm. Na těchto vzorcích byly pozorovány oscilace transportních vlastností v závislosti na tloušťce vrstvy.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0111741