Scintillating properties of Bi-doped Y.sub.3./sub.Ga.sub.5./sub.O.sub.12./sub.

0001077 - FZÚ 2006 RIV KR eng J - Článek v odborném periodiku
Novoselov, A. - Yoshikawa, A. - Nikl, Martin - Fukuda, T.
Scintillating properties of Bi-doped Y₃Ga₅O₁₂.
[Scintilační vlastnosti Y₃Ga₅O₁₂ dopovaného Bi.]
Journal of Korean Crystal Growth and Crystal Technology. Roč. 14, č. 6 (2004), s. 233-235. ISSN 1225-1429
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) 1P04ME716
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: Y₃Ga₅O₁₂ * Bi-doped * luminescence * scintillators
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Shaped single crystals of Bi:Y₃Ga₅O₁₂ were grown by the micro-pulling-down method.Optical absorption spectra show an absorption band at 288 nm ascribed to the lowest energy 6s²->6s6p transition of Bi³⁺,while luminescence spectra demonstrate the band at 314 nm ascribed to the reverse radiative transition of excited Bi³⁺ centres

Tvarované Bi:Y₃Ga₅O₁₂ monokrystaly byly pěstovány metodou "micropulling-down".Přechod 6s²->6s6p na iontu Bi³⁺ je zodpovědný za absorpční pás u 288 nm a luminescnční pás u 314 nm
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0018260