Počet záznamů: 1  

Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures

  1. 1.
    0000498 - FZÚ 2005 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Ito, M. - Ro, K. - Yoneyama, S. - Ito, Y. - Uyama, H. - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Luterová, Kateřina - Fojtík, Petr - Stuchlíková, The-Ha - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.
    [Křemíkové tenké vrystvy připravené za velmi nízkých teplotách podložek.]
    Thin Solid Films. Roč. 442, č. 4 (2003), s. 163-166. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 537
    Klíčová slova: amorphous materials * microcrystal-Si * chemical vapor deposition(CVD)
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.598, rok: 2003

    The influence of the substrate temperature (in the wide range of 35-200 C) on the structure and properties of silicon thin films was studied. It seems that low substrate temperature a parameter window exists where the silicon thin films can be grown with the properties combining both crystalline and amorphous behavior.

    Série experimentů zkoumala vliv teploty podložek na strukturu a vlastnosti křemíkových tenkých vrstev. Teplota se pohybovala od 35o do 200o C. Ukázalo se, že pod 60o C vrystvy vykazovaly neobvyklé chování. U 520 cm -1 byl detektován ostrý TO fotonový pás spojovaný s krystalickou fází. Naproti tomu, tytéž vzorky nevykazovaly odpovídající rentgenovskou difrakci a jejicj optoelektronické vlastnosti odpovídaly amorfním vzorkům
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0017730

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.