Počet záznamů: 1
The metallic nanoparticles integrated into thin layers of hydrogenated amorphous silicon
- 1.
SYSNO ASEP 0522068 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název The metallic nanoparticles integrated into thin layers of hydrogenated amorphous silicon Tvůrce(i) Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Čermák, Jan (FZU-D) RID, SAI, ORCID
Kupčík, Jaroslav (FZU-D) ORCID
Král, Karel (FZU-D) RIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Book of Abstracts of IWEPNM 2019. - Berlin : Technische Universität Berlin Institut für Festkörperphysik, 2019 / Machón M.
S. 68-68Poč.str. 1 s. Akce International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials (IWEPNM) /33./ Datum konání 09.03.2019 - 16.03.2019 Místo konání Kirchberg Země AT - Rakousko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova metallic nanoparticles ; hydrogenated amorphous silicon Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace The metallic nanoparticles integrated into thin semiconductor layer to increase the optical absorption below the optical absorption edge in the near infrared region are expected to significantly degrade the electronic quality of the semiconductor due to the recombination centers introduced in the energy band gap. Contrary to these expectations, our new measurements on PIN structures indicates only meager impact of embedded NPs on the current - voltage characteristics. Here we present our novel PIN structures based on a-Si:H thin films with embedded Sn NPs characterized by electron microscopy (SEM and HRTEM), atomic force microscopy (AFM), photothermal deflection spectroscopy (PDS), constant photocurrent method (CPM), photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL). The temperature dependence of the electrical conductivity and the changes of its activation energy are discussed in the frame of the theoretical model of the transfer of the charge carriers in these structures.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1