Počet záznamů: 1
Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry
- 1.
SYSNO ASEP 0521995 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Mičušík, M. (SK)
Boháček, P. (SK)
Zaťko, B. (SK)
Gombia, E. (IT)
Kováč, J. (SK)
Nečas, V. (SK)Celkový počet autorů 9 Číslo článku 020010 Zdroj.dok. APCOM 2019. - New York : American Institute of Physics Inc., 2019 / Jamnicky I. ; Vajda J. ; Sitek J. - ISBN 9780735418738 Rozsah stran s. 1-4 Poč.str. 4 s. Forma vydání Online - E Akce International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /25./ Datum konání 19.06.2019 - 21.06.2019 Místo konání Štrbské Pleso Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova SI-GaAs ; heterojunction ; I-V characteristics ; capacitance Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 EID SCOPUS 85070558888 DOI 10.1063/1.5119463 Anotace Comparative study of AuGeNi, Pt, Nd and Gd contacts on semi-insulating (SI) GaAs with respect to the backside quasi-ohmic AuGeNi contact in symmetrical geometry is investigated. Fabricated diode structures are characterized by the current- and capacitance-voltage dependencies. Each of contacts gives an original set of characteristics and current lower that corresponding to the ohmic, bulk limited transport in the initial, low bias (<0.02 V) region. Observed increase of UV photosensitivity in the structure with Gd contact is explained by the formation of a heterojunction Au/Gd2O3/SI-GaAs.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1