Počet záznamů: 1
InGaN diode pumped Pr:SrF.sub.2./sub. laser at 639 nm wavelength
- 1.
SYSNO ASEP 0521876 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název InGaN diode pumped Pr:SrF2 laser at 639 nm wavelength Tvůrce(i) Fibrich, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Doroshenko, M. (RU)
Šulc, J. (CZ)
Konyushkin, V. (RU)
Nakladov, A. (RU)
Jelínková, H. (CZ)Celkový počet autorů 6 Číslo článku 1008220 Zdroj.dok. Solid State Lasers XXVI: Technology and Devices. - Bellingham : SPIE, 2017 / Clarkson W.A. ; Shori R.K. - ISSN 0277-786X - ISBN 978-151060605-0 Rozsah stran s. 1-5 Poč.str. 5 s. Forma vydání Tištěná - P Akce Solid State Lasers XXVI: Technology and Devices 2017 Datum konání 30.01.2017 - 02.02.2017 Místo konání San Francisco Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Pr:SrF2 ; diode pumping ; InGaN laser diode ; visible solid-state laser Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000402427300057 EID SCOPUS 85019501191 DOI 10.1117/12.2251955 Anotace We report on Pr:SrF2 single crystal laser operation at 639nm wavelength under blue laser diode pumping. The laser system was operated in the pulsed regime at 100 Hz repetition rate and 2 ms pulse duration. Using 3.5W InGaN laser diode as a pump source, 6mW of the mean output power at 639nm was extracted from the Pr:SrF2 sample. The corresponding slope efficiency related to the absorbed mean power was 16.4 %. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1