Počet záznamů: 1
Luminescence red shift of InGaN/GaN heterostructures by enlargement of V-pits
- 1.
SYSNO ASEP 0520830 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Luminescence red shift of InGaN/GaN heterostructures by enlargement of V-pits Tvůrce(i) Vaněk, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)
Kretková, Tereza (FZU-D)
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 10 Zdroj.dok. Book of Abstracts of the International Conference on Crystal Growth and Epitaxy - ICCGE /19./. - : CTI Meeting Technology, 2019 - ISBN 9780463615836 Poč.str. 1 s. Akce International Conference on Crystal Growth and Epitaxy - ICCGE /19./ Datum konání 28.07.2019 - 02.08.2019 Místo konání Keystone Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova MOVPE ; InGaN ; quantum well ; photoluminescence ; cathodoluminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Luminescence and morphology properties of thick InGaN/GaN multi-quantum well (MQW) heterostructures were investigated. Five samples with number of InGaN/GaN quantum wells (QWs) from 10 to 60 were prepared to achieve a thick active MQW layer. The increasing QWs number leads to accumulation of strain in InGaN/GaN layers and opening of new V-pits due to strain relaxation. The ratio between surfaces of the V-pits’ semipolar QWs and c-plane QWs is increasing because of the growing size and number of V-pits. The consequence is a nearly linear luminescence redshift of the upper c-plane QWs caused probably by increased QW thickness due to lateral migration of In atoms from semipolar to c-plane QWs and also decreasing photoluminescence (PL) intensity of upper QWs for QW number above 30. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020
Počet záznamů: 1