Počet záznamů: 1
Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth
- 1.
SYSNO ASEP 0496211 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth Tvůrce(i) Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 5 Zdroj.dok. Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. - : University of Warsaw, 2018
S. 153-153Poč.str. 1 s. Akce International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7 Datum konání 05.08.2018 - 10.08.2018 Místo konání Warsaw Země PL - Polsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova InGaN/GaN ; QW ; Buffer layer Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Detection and imaging of ionizing radiation is one of prospective applications of InGaN/GaN multiple quantum well structures. Besides efficiency and temporal resolution, spatial homogeneity is an important factor. We quantified it using 2D Fourier transform of cathodoluminescence images, separating the finest inhomogeneity caused by V-pits (100-500 nm) from one caused by dislocation bunching (1-2 μm) and from coarser modulation of QW efficiency. This approach, possibly combined with electron-energy and optical spectrum resolution, is useful for future high-performance imaging screen development. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1