Počet záznamů: 1

Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth

SYSNO ASEP	0496211
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	O - Ostatní
Název	Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth
Tvůrce(i)	Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	5
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. - : University of Warsaw, 2018 S. 153-153
Poč.str.	1 s.
Akce	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7
Datum konání	05.08.2018 - 10.08.2018
Místo konání	Warsaw
Země	PL - Polsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	PL - Polsko
Klíč. slova	InGaN/GaN ; QW ; Buffer layer
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
CEP	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Detection and imaging of ionizing radiation is one of prospective applications of InGaN/GaN multiple quantum well structures. Besides efficiency and temporal resolution, spatial homogeneity is an important factor. We quantified it using 2D Fourier transform of cathodoluminescence images, separating the finest inhomogeneity caused by V-pits (100-500 nm) from one caused by dislocation bunching (1-2 μm) and from coarser modulation of QW efficiency. This approach, possibly combined with electron-energy and optical spectrum resolution, is useful for future high-performance imaging screen development.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2019

Počet záznamů: 1