Počet záznamů: 1
Subbandgap absorption spectroscopy of thin film photovoltaic materials
- 1.
SYSNO ASEP 0480289 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název Subbandgap absorption spectroscopy of thin film photovoltaic materials Tvůrce(i) Holovský, Jakub (FZU-D) RID, ORCID
Stückelberger, M. (CH)
Finsterle, T. (CZ)
Purkrt, Adam (FZU-D) RID
Musálek, L. (CZ)
Benda, V. (CZ)
Bertoni, M. (US)
Haug, F.J. (CH)Celkový počet autorů 8 Zdroj.dok. Proceedings of the 32nd European Photovoltaic Energy Conference and Exhibition. - Munich : WIP, 2016
S. 1-1Poč.str. 1 s. Akce European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition /32./ Datum konání 20.06.2016 - 24.06.2016 Místo konání Munich Země DE - Německo Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova amorphous silicon ; defect density ; solar cells ; photocurrent spectroscopy Vědní obor RIV JJ - Ostatní materiály Obor OECD Nano-materials (production and properties) CEP LD14011 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Recent advance in the hydrogenated amorphous silicon technology and the Fourier-transform Photocurrent Spectroscopy are reviewed, including the problem of parasitic absorptance due to the surface states. A new practice of the absolute scaling of the subbandgap photocurrent signal measured on solar cells is proposed, allowing absolute determination of bulk defect density in ppm. This approach is verified by ray tracing optical simulations. In order to give practical interpretation of defect concentration in terms of device performance, a series of hydrogenated amorphous silicon solar cells of different thickness was analyzed at different states of light soaking degradation. A map of maximum attainable voltage for given bandgap and combination of thickness and defect density is presented. An interesting fundamental rule is observed: the slope of the dependence of the voltage on the logarithm of the defect density corresponds to the Urbach energy.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1