Počet záznamů: 1  

Subbandgap absorption spectroscopy of thin film photovoltaic materials

  1. 1.
    SYSNO ASEP0480289
    Druh ASEPA - Abstrakt
    Zařazení RIVO - Ostatní
    NázevSubbandgap absorption spectroscopy of thin film photovoltaic materials
    Tvůrce(i) Holovský, Jakub (FZU-D) RID, ORCID
    Stückelberger, M. (CH)
    Finsterle, T. (CZ)
    Purkrt, Adam (FZU-D) RID
    Musálek, L. (CZ)
    Benda, V. (CZ)
    Bertoni, M. (US)
    Haug, F.J. (CH)
    Celkový počet autorů8
    Zdroj.dok.Proceedings of the 32nd European Photovoltaic Energy Conference and Exhibition. - Munich : WIP, 2016
    S. 1-1
    Poč.str.1 s.
    AkceEuropean Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition /32./
    Datum konání20.06.2016 - 24.06.2016
    Místo konáníMunich
    ZeměDE - Německo
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovaamorphous silicon ; defect density ; solar cells ; photocurrent spectroscopy
    Vědní obor RIVJJ - Ostatní materiály
    Obor OECDNano-materials (production and properties)
    CEPLD14011 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    AnotaceRecent advance in the hydrogenated amorphous silicon technology and the Fourier-transform Photocurrent Spectroscopy are reviewed, including the problem of parasitic absorptance due to the surface states. A new practice of the absolute scaling of the subbandgap photocurrent signal measured on solar cells is proposed, allowing absolute determination of bulk defect density in ppm. This approach is verified by ray tracing optical simulations. In order to give practical interpretation of defect concentration in terms of device performance, a series of hydrogenated amorphous silicon solar cells of different thickness was analyzed at different states of light soaking degradation. A map of maximum attainable voltage for given bandgap and combination of thickness and defect density is presented. An interesting fundamental rule is observed: the slope of the dependence of the voltage on the logarithm of the defect density corresponds to the Urbach energy.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.