Počet záznamů: 1
Fine tuning of optical transition energy of twisted bilayer graphene via interlayer distance modulation
- 1.
SYSNO ASEP 0471907 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Fine tuning of optical transition energy of twisted bilayer graphene via interlayer distance modulation Tvůrce(i) del Corro, Elena (UFCH-W)
Peňa-Álvarez, Miriam (UFCH-W)
Sato, K. (JP)
Morales-García, A. (CZ)
Bouša, Milan (UFCH-W) RID, ORCID
Mračko, Michal (UT-L) ORCID, RID
Kolman, Radek (UT-L) RID, ORCID
Pacáková, Barbara (FZU-D) RID, ORCID
Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Frank, Otakar (UFCH-W) RID, ORCIDČíslo článku 085138 Zdroj.dok. Physical Review B. - : American Physical Society - ISSN 2469-9950
Roč. 95, č. 8 (2017)Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova twisted bilayer graphene ; tuning ; silicon Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA14-15357S GA ČR - Grantová agentura ČR LL1301 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-03823S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UFCH-W - RVO:61388955 ; UT-L - RVO:61388998 ; FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000394661100004 EID SCOPUS 85014537505 DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.085138 Anotace Since the advent of graphene, tuning of its electronic
structure has been one of the strongest focal points for many
researchers. However, so far the vision of exploiting the
unique properties of graphene for the replacement of silicon
in electronics has been hampered by the inability to open a
sizable band gap in a simple, controlled, and cost-effective
manner [1]. For this purpose, bilayer graphene (BLG) holds
more promise, for applications such as nanoelectronics, than
monolayer graphene, as it offers several routes of profiting
from the interactions between the two layers [2–4], e.g., by
dual gating [4,5], molecular doping [6], or theoretically by
mechanical deformation [7]. Similarly, the appealing concept
of a bilayer pseudospin field effect transistor (BiSFET) still
exists only at the theoretical level [3,8,9]. The interlayer
distance could be one of the important parameters controlling
the excitonic gap in BiSFET [10].Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1