Number of the records: 1
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance
SYS 0306889 LBL 02473^^^^^2200397^^^450 005 20240103185927.7 100 $a 20080513d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a CH 200 1-
$a InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance 215 $a 4 s. 300 $a CEZ:MSM6840770014 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257217 $1 011 $a 0921-5107 $e 1873-4944 $1 200 1 $a Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials $v Roč. 147, - (2008), s. 175-178 $1 210 $c Elsevier 541 1-
$a Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí $z cze 610 0-
$a optical properties 610 0-
$a MOVPE 610 0-
$a indium arsenide 610 0-
$a gallium arsenide 610 0-
$a quantum dots 700 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0237919 $a Atef $b M. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1