Polovodičová pojistka jako zkratová ochrana napěťového střídače se součástkami IGCT
1.
SYSNO ASEP
0101684
Document Type
K - Proceedings Paper (Czech conf.)
R&D Document Type
Conference Paper
Title
Polovodičová pojistka jako zkratová ochrana napěťového střídače se součástkami IGCT
Title
Short-Circuit Protection of IGCT Voltage Source Inverters through the Use of Semiconductor Fuses
Author(s)
Bartoš, Stanislav (UE-C) Semerád, Radko (UE-C) Škramlík, Jiří (UE-C)
Source Title
Sborník příspěvků z celostátní konference EPVE 2004 - Elektrické Pohony a Výkonová Elektronika. - Brno : Vysoké učení technické v Brně, 2004 / Skalický J. ; Feiler Z.
- ISBN 80-214-2766-3
s. 16-21
Number of pages
6 s.
Action
Celostátní konference EPVE 2004 - Elektrické Pohony a Výkonová Elektronika
JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering
R&D Projects
GA102/03/1363 GA ČR - Czech Science Foundation (CSF)
Annotation
Součástky IGCT vykazují vysoké hodnoty parametru I2t. Tato jejich vlastnost umožńuje chránit střídače s IGCT proti zkratu velmi rychlými, tzv. polovodičovými pojistkami. Správná volba pojistek při jejich zapojení ve stejnosměrném meziobvodu je však ztížena tím, že parametr I2t je u pojistek i u polovodičových součástek zpravidla definiván pro půlsinusový průběh proudu 50 Hz, zatímco zkratový proud ve stejnosměrném meziobvodu střídače má průběh odlišný.
Description in English
The power switching devices IGCT exhibit high values of the parameter I2t. This property enables their short-circuit protection by the so called semiconductor fuses. For both the thyristors and the rapid semiconductor fuses, the parameter I2t is usually defined for a half-sine current wave with the duration of 10 ms. However, in the dc feeding line of an inverter, the short-circuit waveforms are strongly different, and the best way to find the proper fuse for protection is to employ appropriate computer software.
