Number of the records: 1  

Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev

  1. 1.
    0092357 - FZU-D 2008 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
    Hubička, Zdeněk - Olejníček, Jiří - Virostko, Petr - Čada, Martin - Jastrabík, Lubomír - Churpita, Olexandr - Suchaneck, G. - Deyneka, Alexander - Hrabovský, Miroslav
    Systém pro realizaci depozice perovskitových vrstev.
    [System for deposition of perovskite layers.]
    Internal code: 17135 ; 2007
    Technical parameters: Technologie a metoda realizace perovskitových vrstev
    Economic parameters: -
    R&D Projects: GA MŠk(CZ) 1M06002; GA AV ČR 1QS100100563
    Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100522
    Keywords : perovskite layers * deposition
    Subject RIV: BH - Optics, Masers, Lasers

    Systém využívá pro depozici dielektrických vrstev BaxSr1-xTiO3 (BSTO – ferroelektrické perovskity), vykazujících výraznou závislost permitivity na přiloženém stejnosměrném elektrickém napětí, vysokofrekvenčního (RF) plazmochemického reaktoru s proudícím plazmatickým kanálem a s alespoň dvěma dutými katodami napojenými na přívod pracovního plynu, které jsou vybaveny samostatným výkonovým RF generátorem, přitom katody jsou opatřeny tryskami z dielektrických materiálů BaTiO3 a SrTiO3. S pomocí měření RF proudu a napětí vzorkovacími osciloskopy lze systémem dosáhnout rychlé depozice nehomogenních vrstev vhodné kvality se spojitě proměnlivým stechiometrickým parametrem x. Vzhledem k nízké teplotě neutrální složky plazmatu blízké pokojové teplotě (teplota elektronů je 100 000 K) lze vrstvy deponovat i na teplotně citlivé podložky.

    The system for deposition of dielectric BaxSr1-xTiO3 (BSTO – ferroelectric perovskite) layers, exhibiting a profound permittivity dependency on the dc voltage, employs radio-frequency (RF) plasma-chemical reactor with a jet stream plasmatic channel and at least two hollow cathodes attached to the operational gas source and equipped by high-power RF generator. The cathodes are provided with BaTiO3 and SrTiO3 nozzles. Using the RF current and voltage measured by sample oscilloscopes the system allows a fast deposition of inhomogeneous good-quality layers with continuously varying stoichiometric parameter x. With regard to the low temperature of a neutral plasma component close to the room temperature (while a temperature of electron plasma component is as high as 100 000 K) it is possible to deposit layers also on the thermally sensitive substrates
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0152702