Single crystal silicon carbide detector of emitted ions and soft x rays from power laser-generated plasmas

0333739 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Journal Article
Torrisi, L. - Foti, G. - Giuffrida, L. - Puglisi, D. - Wolowski, J. - Badziak, J. - Parys, P. - Rosinski, M. - Margarone, D. - Krása, Josef - Velyhan, Andriy - Ullschmied, Jiří
Single crystal silicon carbide detector of emitted ions and soft x rays from power laser-generated plasmas.
[Monokrystal karbidu křemíku jako detektor iontů a měkkého rentgenového záření emitovaných z laserem generovaného plazmatu.]
Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 12 (2009), 123304/1-123304/7. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
R&D Projects: GA AV ČR IAA100100715
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100523; CEZ:AV0Z20430508
Keywords : laser-produced plasma * SiC detector * ion collector
Subject RIV: BL - Plasma and Gas Discharge Physics
Impact factor: 2.072, year: 2009

A single-crystal silicon carbide (SiC) detector was tested as a detector of soft x rays, electrons, and ions emitted from a plasma generated with the use of the Prague Asterix Laser System (PALS) delivering intensities of 10^16 W/cm^2. The SiC detector exhibited no response to intense UV and soft x-rays. Its response to high energy ions was correlated to the signal of an ion collector.

Monokrystalický SiC detektor byl testován jako detektor měkkého RTG. záření, elektronů a iontů emitovaných z plazmu, které bylo generováno laserovým svazkem o intenzitě až 10^16 W/cm^2 dodávaného systémem PALS. SiC detektor nevykazoval žádnou odezvu na intenzívní UV a měkké RGT záření. Jeho odezva na ionty mající vysokou kinetickou energii byla porovnána s odezvou iontového kolektoru.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0178660