Influence of Si-Ge-Al-Sb matrices on Tm.sup.3./sup.+ excitation levels

0081340 - ÚFE 2007 PT eng A - Abstract
Pospíšilová, Marie - Adámek, P. - Peterka, Pavel - Kubeček, V. - Kašík, Ivan - Matějec, Vlastimil
Influence of Si-Ge-Al-Sb matrices on Tm³+ excitation levels.
[Vliv Si-Ge-Al-Sb matrice na Tm³+ excitační hladiny.]
Materiais 2007.. Porto: Universidade do Porto, Faculdade de Engenharia, 2007. s. 82--. ISBN 978-972-8953-15-7.
[Conference of Sociedade Portuguesa de Materiais /13./ and International Materials Symposium 2007 /4./. 01.04.2007-04.04.2007, Porto]
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20670512
Keywords : fibre lasers * spectroscopy * thulium
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Absorption and fluorescent spektra of the Tm-doped glass matrice Si-Ge-Al-Sb are presented. Fluorescent spektra of Tm were obtained using two excitation wavelength 1064 nm and 980 nm. The new numerical approach for spektra decomposition is used to calculate the oscilátor strength of Tm levels. Tested materials were prepared usány MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition) Metod.

Jsou uvedena naměřená absorpční a fluorescenční spektra Tm v matrici Si-Ge-Al-Sb. Fluorescenční spektra byla měřena na dvou vlnových délkách 1064 nm a 980 nm. Je prezentována nová metoda rozkladu spekter k výpočtu síly oscilátoru hladin Tm. Vzorky měřeného materiálu byly připraveny metodou MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition).
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0145240