Počet záznamů: 1

Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů

  1. 1.
    0354185 - FZU-D 2013 RIV CZ cze P - Patentový dokument
    Rezek, Bohuslav - Šípek, Emil - Stuchlík, Jiří - Kočka, Jan
    Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů.
    [Method of making isolated groups of microscopic silicon crystals.]
    Praha: Úřad průmyslového vlastnictví, 2010. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8,CZ. Datum udělení patentu: 24.05.2010. Číslo patentu: 301824
    Grant CEP: GA MŠk(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA MŠk LC510
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: silicon * nanocrystals * crystallization
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301824.pdf http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301824.pdf

    Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě.

    Fabrication of isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin film of amorphous silicon deposited on a metal substrates is done by employing field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization process. This process is specific by the procedure that at least one tip-like contact from electrically conductive material is positioned on the amorphous silicon thin film and a flow of electrical current between the contact and metal substrates is induced thereafter. The current amplitude and energy dose to the sample is controlled. In this way one can fabricate silicon crystals smaller than 100 nm, even at room temperature. Growth of the crystals is accompanied by a formation of microscopic pits in the thin film.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0193243