Počet záznamů: 1

Electronic structure of defects in Sr.sub.2./sub.MgSi.sub.2./sub.O.sub.7./sub.:Eu.sup.2+./sup.,La.sup.3+./sup. persistent luminiscence material

  1. 1.
    0352705 - FZU-D 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Hassinen, J. - Hölsä, J. - Laamanen, T. - Lastusaari, M. - Novák, Pavel
    Electronic structure of defects in Sr2MgSi2O7:Eu2+,La3+ persistent luminiscence material.
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 356, 37-40 (2010), s. 2015-2019 ISSN 0022-3093
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: disilicate * persistent luminiscence * electronic structure
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.483, rok: 2010
    www.elsevier.com/locate/jnoncrysol

    Modifications in the crystal and electronic structure due to the introduction of Sr and oxygen vacancies in Sr2MgSi2O7:Eu2+ were calculated using the density functional theory based method.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0192156