Počet záznamů: 1

InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band

  1. 1.
    0337368 - FZU-D 2012 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
    InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band.
    [Struktura s InAs/GaAs kvantovými tečkami emitující na 1.55 μm.]
    IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Roč. 6, č. 1 (2009), 012007/1-012007/4 ISSN 1757-8981
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * photoluminescence
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    We investigated different capping layers covering InAs quantum dot structures grown on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy in order to receive strong photoluminescence at 1.55 μm. Analysis of photoluminescence and microscopy data supported by calculation of quantum dot electron states shows that this is caused both by the change of the electronic-barrier structure and by the increase of the height of the overgrown quantum dots.

    Studovali jsme vliv různých krycích vrstev na luminiscenci InAs kvantových teček připravených na GaAs substrátu s cílem dosáhnout luminiscence na vlnové délce 1.55 μm. Analýza luminiscenčních a mikroskopických dat byla podpořena výpočtem elektronové struktury kvantových teček a ukazuje se, že změna elektronové struktury je způsobene změnou bariéry a velikostí kvantových teček.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181384