Počet záznamů: 1

Anisotropic magnetoresistance of spin-orbit coupledcarriers scattered from polarized magnetic impurities

  1. 1.
    0335873 - FZU-D 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Trushin, M. - Výborný, Karel - Moraczewski, P. - Kovalev, A.A. - Schliemann, J. - Jungwirth, Tomáš
    Anisotropic magnetoresistance of spin-orbit coupledcarriers scattered from polarized magnetic impurities.
    [Anizotropní magnetorezistence spin-orbitálně interagujících nosičů náboje při rozptylu na polarizovaných magnetických nečistotách.]
    Physical Review. B. Roč. 80, č. 13 (2009), 134405/1-134405/14 ISSN 1098-0121
    Grant CEP: GA AV ČR KJB100100802; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
    GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: Boltzmann equation * conduction bands * enhanced magnetoresistance * Fermi surface * ferromagnetic materials * gallium compounds * III-V semiconductors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.475, rok: 2009
    http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.80.134405

    We theoretically study one particular realization of the AMR (anisotropic magnetoresistance) in which spin-orbit coupling enters via specific spin-textures on the carrier Fermi surfaces and ferromagnetism via scattering of carriers from polarized magnetic impurities.

    Teoreticky studujeme AMR (anizotropní magnetorezistenci) v systémech, kde se spin-orbitální interakce projevuje charakteristickými spinovými texturami na Fermiho plochách a feromagnetizmus vstupuje do hry při rozptylu nosičů náboje na polarizovaných magnetických nečistotách.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180226