Počet záznamů: 1

Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover

  1. 1.
    0335755 - FZU-D 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Švec, Martin - Dudr, Viktor - Vondráček, Martin - Jelínek, Pavel - Mutombo, Pingo - Cháb, Vladimír - Šutara, F. - Matolín, V. - Prince, K. C.
    Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover.
    [Intra-atomární reorganizace náboje na Pb-Si rozhraní: vazebný mechanismus při nízkém pokrytí.]
    Surface Science. Roč. 603, č. 18 (2009), s. 2861-2869 ISSN 0039-6028
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR IAA100100616
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: density functional calculations * green´s functional methods * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy x-ray scattering * lead * silicon
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.798, rok: 2009

    We performed both experimental and theoretical study of dynamical fluctuation of Pb adatoms between up and down positions which is connected with the charge redistribution in the basic triangular bipyramid formed by an adsorbed Pb atom and its four closest Si neighbors.

    Provedli jsme jak experimentální tak teoretickou studii dynamické fluktuace Pb adatomu mezi dolní a horní polohou, která je spojena s přeuspořádáním náboje v rámci základní bi-pyramidální trojúhelníkové struktury tvořené Pb adatomem a 4 sousedními Si atomy.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180134