Počet záznamů: 1
Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover
- 1.0335755 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Švec, Martin - Dudr, Viktor - Vondráček, Martin - Jelínek, Pavel - Mutombo, Pingo - Cháb, Vladimír - Šutara, F. - Matolín, V. - Prince, K. C.
Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover.
[Intra-atomární reorganizace náboje na Pb-Si rozhraní: vazebný mechanismus při nízkém pokrytí.]
Surface Science. Roč. 603, č. 18 (2009), s. 2861-2869. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR IAA100100616
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: density functional calculations * green´s functional methods * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy x-ray scattering * lead * silicon
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.798, rok: 2009
We performed both experimental and theoretical study of dynamical fluctuation of Pb adatoms between up and down positions which is connected with the charge redistribution in the basic triangular bipyramid formed by an adsorbed Pb atom and its four closest Si neighbors.
Provedli jsme jak experimentální tak teoretickou studii dynamické fluktuace Pb adatomu mezi dolní a horní polohou, která je spojena s přeuspořádáním náboje v rámci základní bi-pyramidální trojúhelníkové struktury tvořené Pb adatomem a 4 sousedními Si atomy.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180134
Počet záznamů: 1