Počet záznamů: 1

Theoretical modeling of influence of the structural disorder on the charge carrier mobility in triphenylene stacks

  1. 1.
    0335443 - UMCH-V 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Mikolajczyk, M. - Toman, Petr - Bartkowiak, W.
    Theoretical modeling of influence of the structural disorder on the charge carrier mobility in triphenylene stacks.
    [Teoretické modelování vlivu strukturní neuspořádanosti na pohyblivost nosičů náboje ve sloupcích trifenylenu.]
    Chemical Physics Letters. Roč. 485, 1-3 (2010), s. 253-257 ISSN 0009-2614
    Grant CEP: GA MŠk MEB050815; GA AV ČR IAA401770601
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
    Klíčová slova: triphenylene * charge carrier mobility * tight-binding approximation
    Kód oboru RIV: CD - Makromolekulární chemie
    Impakt faktor: 2.282, rok: 2010

    The tight-binding Hamiltonian is used to describe the charge carrier transport in a stack of triphenylene molecules. The influence of different levels of structural disorder on the on-stack charge carrier mobility is discussed. Structural disorder simulation considers three geometrical parameters: the distance between molecular planes, the twist angle around molecule symmetry axis, and the lateral slide in the direction perpendicular to the stack axis. The calculated values of the charge carrier mobility are compared with experimental data.

    Transport náboje podél sloupců trifenylenu je popsán kvantově mechanicky pomocí těsnovazebného Hamiltoniánu. Řešením Schrödingerovy rovnice je určena pohyblivost nosičů náboje v závislosti na velikosti strukturní neuspořádanosti molekul ve sloupcích. Prezentovaný model uvažuje tři typy geometrických parametrů: vzdálenost mezi molekulárními rovinami, torzní úhly kolem molekulární osy symetrie a příčný posuv molekul ve směru kolmém na osu sloupce. Spočtené hodnoty pohyblivosti nosičů náboje jsou srovnatelné s experimentálními daty.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005639