Počet záznamů: 1

Influence of process parameters on the properties of TEOS DF-PECVD grown SiO2 films by DOE

  1. 1.
    0335271 - UPT-D 2010 RIV AT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mikmeková, Eliška - Janča, J. - Dvořáková, M.
    Influence of process parameters on the properties of TEOS DF-PECVD grown SiO2 films by DOE.
    MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy. Graz: Verlag der Technischen Universität, 2009, Vol. 3: 463-464. ISBN 978-3-85125-062-6.
    [MC 2009 - Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Congress on Microscopy /9./. Graz (AT), 30.08.2009-04.09.2009]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
    Klíčová slova: DF-PECVD * silicon dioxide * intrinsic stress * DOE * SEM
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    http://www.univie.ac.at/asem/Graz_MC_09/papers/65557.pdf http://www.univie.ac.at/asem/Graz_MC_09/papers/65557.pdf

    The aim of this work is to optimize deposition process for thin silicon dioxide films preparation and to study the influence of stress in these films.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0179780