Počet záznamů: 1

Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation

  1. 1.
    0331693 - FZU-D 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Dohnalová, Kateřina - Kůsová, Kateřina - Pelant, Ivan
    Time-resolved photoluminescence spectroscopy of the initial oxidation.
    [Časově rozlišená fotoluminiscenční spektroskopie počáteční fáze oxidace malých křemíkových nanokrystalů.]
    Applied Physics Letters. Roč. 94, č. 21 (2009), 211903/1-211903/3 ISSN 0003-6951
    Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA101120804; GA MŠk LC510; GA AV ČR KJB100100903; GA ČR GA202/07/0818
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: silicon nanocrystals * photoluminescence * oxidation
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.554, rok: 2009

    In this paper we study the influence of progressing oxidation on the photoluminescence spectra of small silicon nanocrystals (SiNCs). H-terminated SiNCs exhibit only a fast approximately nanosecond photoluminescence component at about 525 nm, quenched and redshifted to about 550 nm by progressing oxidation. At the same time a new approximately microsecond photoluminescence component appears, intensity of which progressively increases and its peak position redshifts continuously from 575 up to 660 nm. We interpret our observations in terms of the quasidirect core electron-hole pair recombination quenched by the ultrafast trapping into the oxygen-related surface/interface states, forming within the band gap due to oxidation.

    Je studován vliv postupující oxidace na fotoluminiscenční spektra malých křemíkových nanokrystalů (SiNC). SiNc zakončené vodíkem vykazují pouze rychlou (ns) fotoluminiscenční komponentu u 525 nm, která se vlivem postupující oxidace zeslabuje a posouvá k asi 550 nm. Současně se objevuje nová mikrosekundová složka, jejíž intenzita se zvyšuje a střed fotoluminiscenčního spektra se posouvá od 575 k 660 nm. Tyto jevy jsou způsobené rychlou kvazipřímou rekombinací elektron-děrového páru v jádře, která je postupně zeslabována ultrarychlým záchytem nosičů v povrchových, s oxidem souvisejících stavech, vznikajících uvnitř zakázeného pásu vlivem oxidace.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0177142