Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

0330532 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs.
[Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin.]
Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. ISSN 0749-6036. E-ISSN 1096-3677
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.910, rok: 2009

In0.23Ga0.77As capping reduces residual strain and preserves the shape of quantum dots. As a result, the photoluminescence maximum shifts up to desired wavelength of 1.55μm.

Překrytí In0.23Ga0.77As snižuje zbytkové pnutí a zachovává tvar kvantových teček. Výsledkem je posun maxima fotoluminiscence až k cílené vlnové délce 1.55μm.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176305