Počet záznamů: 1  

Dielectric relaxations in undoped, Ce-doped and Ce,Zr-codoped Lu.sub.3./sub.Al.sub.5./sub.O.sub.12./sub. single crystals

  1. 1.
    0327263 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Xing, L. - Xu, X. B. - Gu, M. - Tang, T. B. - Mihóková, Eva - Nikl, Martin - Vedda, A.
    Dielectric relaxations in undoped, Ce-doped and Ce,Zr-codoped Lu3Al5O12 single crystals.
    [Dielektrické relaxace v nedopovaném, Ce-dopovaném a Ce,Zr kodopovaném monokrystalu Lu3Al5O12]
    Journal of Physics and Chemistry of Solids. Roč. 70, 3-4 (2009), s. 595-599. ISSN 0022-3697. E-ISSN 1879-2553
    Grant CEP: GA ČR GA202/08/0893
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: optical materials * defects * dielectric properties
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.189, rok: 2009

    Dielectric spectroscopy was performed on single crystals of pure, Ce-doped or Ce,Zr-codoped Lu3Al5O12, before and after UV- or X-irradaiation, at various frequencies within the range 100 Hz–1MHz as the temperature was scanned from 110 to 353K. We attribute the observed dipoles to defect-stabilised pairs of anion–anion vacancies (oxygen ions and oxygen vacancies) that have captured holes and photo-electrons separately, thus forming O- and F+-like centers.

    Nedopované, Ce-dopované a Ce,Zr dopované krystaly Lu3Al5O12 byly studovány s pomocí metod dielektrické spektroskopie při různých frekvencích v rozmezí 100 Hz–1MHz a teplotách 110 to 353K. Pozorovaná dipélová centra přiřazujeme párům kationtová-aniontová vakance stabilizovaná defektem, které odděleně zachycují fotogenerované díry a elektrony. Čímž jsou formovány O- a F+- podobná centra.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005368

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.